g型引脚和j型引脚是什么意思，电路学这个j是什么意思
来源：整理 编辑：维修百科 2022-11-22 20:40:56
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1，电路学这个j是什么意思
2，住宅J型G型代表什么意思
没有意义。是由开发商委托设计单位的时候，设计单位把不同户型用不同的字母表示出来。字母的选择是随意的。
3，什么是G型漏电保护AC是交流保护A是还可以保护直流或者脉冲
漏电的话，分为三种，AC、A、BAC:应用与交流故障电流的漏电保护A:应用于交流和脉冲直流故障电流的漏电保护B:应用于交流、脉冲电流和平滑直流故障电流的漏电保护。
4，能不能告诉我三个引脚分别是什么 怎么焊到电路里去 感激不尽啊 搜
这是直插型低压电源插座!插座最顶部的焊片是接机内电源的正极!中间的焊片和外壳焊片都接地!(负极)地其实是线路的公共回路。不一定是零电位，或负电位，而或和交流电的地线等电位的。也可以是正电位的，，对于交流来说，正级和负极是短路的，正极和负极都是地，不过人门在设计电路时总是围绕一个级展开敷设元件，最后把电流引向一个公共端，这个公共端在电路上故意大面积存在，把有可能干扰的地方割开，（吸收干扰）就是地。假如你按负极设计电路，用正极当地也可以。集成电路的检测（（晶圆检测）、chip test（芯片检测）和package test（封装检测）。 wafer test是在晶圆从晶圆厂生产出来后，切割减薄之前的检测。其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的检测点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数检测。 对于光学ic，还需要对其进行给定光照条件下的电气性能检测。 wefer test主要设备：探针平台。 wefer test辅助设备：无尘室及其全套设备。 wefer test是效率最高的测试，因为一个晶圆上常常有几百个到几千个甚至上万个芯片，而这所有芯片可以在测试平台上一次性检测。 chip test是在晶圆经过切割、减薄工序，成为一片片独立的chip之后的检测。其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的检测点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数检测。chip test和wafer test设备最主要的区别是因为被测目标形状大小不同因而夹具不同。 对于光学ic，还需要对其进行给定光照条件下的电气性能检测。 chip test主要设备：探针平台（包括夹持不同规格chip的夹具） chip test辅助设备：无尘室及其全套设备。 chip test能检测的范围和wafer test是差不多的，由于已经经过了切割、减薄工序，还可以将切割、减薄工序中损坏的不良品挑出来。但chip test效率比wafer test要低不少。 package test是在芯片封装成成品之后进行的检测。由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，测试要求的条件大大降低。 一般package test的设备也是各个厂商自己开发或定制的，通常包含测试各种电子或光学参数的传感器，但通常不使用探针探入芯片内部（多数芯片封装后也无法探入），而是直接从管脚连线进行测试。 由于package test无法使用探针测试芯片内部，因此其测试范围受到限制，有很多指标无法在这一环节进行测试。但package test是最终产品的检测，因此其检测合格即为最终合格产品。 ic的测试是一个相当复杂的系统工程，无法简单地告诉你怎样判定是合格还是不合格。 一般说来，是根据设计要求进行测试，不符合设计要求的就是不合格。而设计要求，因产品不同而各不相同，有的ic需要检测大量的参数，有的则只需要检测很少的参数。 事实上，一个具体的ic，并不一定要经历上面提到的全部测试，而经历多道测试工序的ic，具体在哪个工序测试哪些参数，也是有很多种变化的，这是一个复杂的系统工程。 例如对于芯片面积大、良率高、封装成本低的芯片，通常可以不进行wafer test，而芯片面积小、良率低、封装成本高的芯片，最好将很多测试放在wafer test环节，及早发现不良品，避免不良品混入封装环节，无谓地增加封装成本。 ic检测的设备，由于ic的生产量通常非常巨大，因此向万用表、示波器一类手工测试一起一定是不能胜任的，目前的测试设备通常都是全自动化、多功能组合测量装置，并由程序控制，你基本上可以认为这些测试设备就是一台测量专用工业机器人。ic的测试是ic生产流程中一个非常重要的环节，在目前大多数的ic中，测试环节所占成本常常要占到总成本的1/4到一半。
5，三极管的三个引脚分别是什么
E:发射级，B:基级，C:集电极发射区和基区之间的PN结叫发射结。集电区和基区的PN结叫集电极。共发射极大放大电路输入电信号加在三极管的基级。附：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。主要有放大、开关、大电阻的作用…三个管脚分别为集电极(C)、基极(B)、发射极(E)…可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型 (NPN 型还是 PNP 型 ),并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。测试方法如下 :①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 "R × 100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 "R × 100"或"R × 1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在 0.6V 左右 ), 则假设的基极是正确的 , 且被测三极管为 NPN 型管。数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时 , 先确认晶体管类型 , 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。朋友，三极管可以做放大，检波，开关等作用的。用在不同电路起到的作用也就不一样。具体三极管的判断你参考一下我收集整理的啊。三极管的测量三极管管脚极性的识别多数小功率三极管的管脚是等腰三角形排列，其顶点是基极，左边是发射极，右边是集电极。有的是从管底看，由管帽突出处顺时针排列为发射极，基极，集电极。有的管型用管帽色点或者管脚塑料护套颜色来标明极性的，红色为集电极，绿色为发射极，白色是基极。有的管型管脚是一字形排列，用集电极管脚较短，或者集电极与其它极距离最远来区别电极，中间是基极，另一个脚是发射极。大功率管一般直接用外壳做集电极引出端。有的在较高频率工作的三极管，为了屏蔽高频电磁干扰，管壳用一支脚引出，以准备接地或者接零，符合为d，从管底看，由管壳边凸出处顺时针依次是发射极，基极，集电极，管壳引线。大部分国产硅酮塑封三极管，从正对截角或剖去平面的方向看，从左到右依次是发射极，基极，集电极。超小型三极管将截角的管脚焊片定为发射极，对面是脚是基极，垂直的第三个脚是集电极。另外一种半球形超小型三极管，将球面朝上，从左到右，依次是基极，集电极，发射极。三极管用万用表测量管脚极性用万用表R×100或者R×1K档分别测量各管脚间电阻，必有一只脚对其它两脚电阻值相似，那么这只脚是基极，如果红表笔（正表笔）接基极，测得与其它两脚电阻都小，那么这只管子是PNP管。如果测得电阻很大，那么这个管子是NPN管。找到基极后，分别测基极对其余两脚的正向电阻，其中阻值稍小的那个是集电极，另外一个是发射极，这是因为集电结较大，正偏导通电流也较大，所以电阻稍小一点。三极管好坏大致判断利用三极管内PN结的单向导电性，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。三极管穿透电流测量判断用万用表检查管子的穿透电流Iceo，是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的，如果穿透电流大，阻值就较小。测PNP小功率锗管时，万用表R×100档正表笔接集电极，负表笔接发射极，相当于测三极管集电结承受反向电压时的阻值，高频管读数应在50千欧姆以上，低频管读数应在几千欧姆到几十千欧姆范围内，测NPN锗管时，表笔极性相反。测NPN小功率硅管时，万用表R×1K档负表笔接集电极，正表笔接发射极，由于硅管的穿透电流很小，阻值应在几百千欧姆以上，一般表针不动或者微动。测大功率三极管时，由于PN结大，一般穿透电流值较大，用万用表R×10档测量集电极与发射极间反向电阻，应在几百欧姆以上。如果测得阻值偏小，说明管子穿透电流过大。如果测试过程中表针缓缓向低阻方向摆动，说明管子工作不稳定。如果用手捏管壳，阻值减小很多，说明管子热稳定性很差。三极管放大系数β的测量估计：按测量三极管穿透电流的方法，再用手指同时捏住管子的集电极与基极，表针会迅速向低阻端摆动，摆动范围越大说明三极管放大系数β值越大。
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