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1，plC好坏怎检测呀

连上传输线，打开PLC监控功能，可检查每个输入点是否正常，输出关键看PLC上的指示灯，是否有相应的动作，一般输入信号很少坏，即使坏了，只要在程序里改到多余的点上就好，输出，其实内部都有每个相应的继电器，可以更换。
上电，测输出导通，程序 壤输出on，然后再测！

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2，乐视ssc9512s坏了不开机

查看电路的外围元件，如果都一样，那就能互换，不一样时，可根据代用件的外围电路更改回来，也是能代用的。

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3，变频器怎样鉴别质量的好与坏

1.首先看品牌2.其次看重量3.看是否是返修货
看软件的话，可能会不准。会刷软件的人可能会把一些参数改掉！看序列号是最准的。你可以把序列号提供给abb，他们会告诉你是哪年生产的。序列号的标签是不干胶的，贴在变频器侧面。字迹清晰，而且带条形码。这个一般不容易造假。其次还有几个小细节你可以看看。第一如果是全新的，它的进、出线接线铜排是没有划痕的。用过的肯定是有的。因为上过螺丝，肯定有印记。第二，你可以看看变频器的壳子上的螺丝。都是t型螺丝。而且有的螺丝上红色油漆。如果翻新的螺丝肯定有被拧过的痕迹。如果条件允许，那就拆开罩子，看看里面的情况。新的变频器里面是干干净净的，，如果是用过的，就算处理的再好，边边角角肯定会有灰尘。

变频器怎样鉴别质量的好与坏

4，ssc9522s代换ssc9512s可以吗

查看电路的外围元件，如果都一样，那就能互换，不一样时，可根据代用件的外围电路更改回来，也是能代用的。

5，双向可控硅型号怎么命名怎样检测好坏

半导体元器件型号的命名方法：http://www.kekongguimokuai.com/?p=263检测实例之一：选择ZC25-3型兆欧表，将500型万用表拨至50VDC档。被测触发二极管为DB3型，其外形与检波二极管相似，管壳呈天蓝色。主要参数是：V（BO）=35V（典型值），峰值脉冲电流Ipk=5mA。 首先用R×1k档测量正、反向电阻均为无穷大。然后按图5.9.19所示方法分两次测得：V（BO）=28.5V，V（BR）=28.0V。由此算出⊿V（B）=0.5V＜2V 。该管子的正、反向转折电压较典型值稍低些，但转折电压的对称性很好。 实例之二：测量两只耐压30V的玻封双向触发二极管（具体型号未标出），测量数据整理成表1。说明两只被测管性能良好。 注意事项： 因双向触发二极管具有对称性，故可从两次测量值中任选一个定义为V（BO）。现取数值较大的作为V（BO），数值较小的作为V（BR）。

6，电源集成块SSC9512S不知能不能用SSC9502S代换

看来只有工程师知道SSC9502S和SSC9512S的区别！谢谢你，你是一个慷慨的人，SSC9502S和SSC9512S是日本山肯公司生产的！ 查看原帖>>

7，高压二极管如何检测好坏有万用表

你说 的是高压硅堆吧 高压硅堆检测方法 高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。 另一种方法是：高压硅堆有整流功能，将万用表的量程开关拨至直流电压档250V或500V档后，如图1d所示串联高压硅堆并接在220V交流电源上。由于高压硅堆的整流作用，万用表指针的偏转反映了半波整流后的电流平均值，因而高压硅堆与万用表就构成了一只半波整流式的交流电压表。 当被测高压硅堆按照正向接法连接时，万用表读数在30 V以上时即为合格。当按反向接法连接时，万用表指针应反向偏转。若万用表指针始终不动，则可能是高压硅堆内部断路，使电流不能通过万用表，但也可能是高压硅堆已击穿。短路时交流电压虽能直接加于万用表，然而由于交流电频率为50 Hz，万用表指针来不及摆动，所以量程开关拨在直流电压档的万用表总是处于零位上。 因此，判断高压硅堆短路和断路，只要把万用表的量程开关拨至交流电压250 V或500 V档，若读数为220V交流电压值，则证明被测高压硅堆短路，若此时读数为零，则表明高压硅堆内部已断路。

8，两极双向可控硅怎样用万用表测量好坏

用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下：1、T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。2、T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。扩展资料两极双向可控硅使用需有条件：（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。参考资料来源：搜狗百科-双向可控硅参考资料来源：搜狗百科-万用表
方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。 方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。 方法三： 检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用 表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二相同，就证明双向可控硅是好的。
用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下。T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T2的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
可控硅检测方法与经验可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。 1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。用万用表测量的方法如下。T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。

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