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1，电磁炉IGBT管的样子呢

igbt 学名门级可关断晶闸管 就是开关管 在逆变电路中使用用来产生高频交变电流。一般为黑色的，在散热器下面和整流桥在一个散热器上.
黑色扁平方形，有3个脚。在铝散热片底下。
朋友，电磁炉的igbt管是安装在电磁炉里面的电路板金属散热片上面的。它是一个大功率管，跟普通电视机开关管或者行管样子差不多，只有三只脚的。

电磁炉IGBT管的样子呢

2，电磁炉igbt是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

电磁炉igbt是什么

3，电磁炉中的IGBT件是什么零件

功率管或开关管
首先要检查 lm339 第3脚 是否有+18v 是否稳定 要是电压问题 就要看电源和电源送电部分 lm339坏也会引起频繁烧igbt管 因为lm339无法判断其好坏 最好是给换个新的 还有给igbt管送电的两只晶体管 通常是（8550 8050 一对管） 坏了一个也必须两个都换新的 另外 两只晶体管出来 还有 1个电阻 和一个稳压二极管 也必须检查 坏了就换新的 并联线圈盘的 1200v 电容（有的是800v) 这个叫 高频谐振电容 也要检查 要是以上的都没问题了 再装igbt管 就ok
用来控制加热的的

电磁炉中的IGBT件是什么零件

4，igbt是什么管子

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
载流密度小IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，但驱动电流较大，载流密度大。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大
igbt 管是靠电压触发的 只要给触发电压就可以了

5，请问一下 电磁炉电路板里的IGBT是个什么元件

hehe528528 说的是正确的，补充一下，igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高，而前级由于使用vmos所以驱动功耗小，不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^ hehe528528告诉你的答案是从书本上抄袭来的，我告诉你的可是书本上没有的哦，分数要给谁你就自己看着办吧
电路板一般在加热线圈下边，上面有两个黑的电容：电容容量是5uf（微法）的电容安装在电源回路里的，它的耐压等级是400v，起到电源滤波的作用；还有另外一个小一点的，容量为0.33uf/400v的电容，在电路起到谐震作用，它是和加热线圈并联的着的。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）,它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此，IGBT的新技术、新工艺不断有新的突破；应用频率硬开关5KHz～40KHz，软开关40KHz～150KHz；功率从五千瓦到几百千瓦的应用场合。IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。为了使初次使用者正确用好IGBT模块，最大限度地发挥IGBT模块的作用，以下是最基本的使用说明。http://www.igbt168.cn/ReadNews.asp?NewsID=26
IGBT是绝缘栅双极晶体管,在电磁炉里可以通过控制输出电压的大小调节温度的高低.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型功率管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

6，电磁炉igbt是什么电磁炉损坏IGBT功率管主要原因分析

电磁炉损坏IGBT功率管主要原因分析电磁炉igbt是什么： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。原因一：0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容损坏或容量不足在电磁炉中，若0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高，从而引起功率管 IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF和5uF电容一起更换。原因二：IGBT管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT 管的G极，导致IGBT管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。原因三：同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上VCE脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时，导致IGBT管瞬间击穿损坏。原因四：18V工作电压异常在电磁炉中，当18B工作电压异常时会使IGBT管激励电路、风扇散热系统及LM339工作失常导致IGBT管上电瞬间损坏。原因五：过热电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大，如果散热系统出现异常会导致 IGBT管过热而损坏。原因六：单片机异常单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管。原因七：VCE检测电路异常VCE检测电路将IGBT管集电极上的脉冲电压通过电阻分压、取样获得其取样电压送入CPU，CPU检测该电压的变化，做出各种相应指令。当VCE检测电路异常时，VCE脉冲幅度值超过IGBT管极限值，从而导致IGBT管损坏。原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平在锅底产生的涡流不能均匀地使变形的锅具加热，从而使锅底温度传感器检温失常，CPU因检测不到异常温度而继续加热，导致功率管的损坏。
驱动功率管的驱动电路还有问题.电磁炉维修要用安全检测方法,具体我的百度空间有专业介绍.你可去看看.这里有贴上一篇我发表在空间的文章给你参考,希望对你有帮助.免费帮同事维修了不少的电磁炉，总结了一些维修电磁炉的小经验，现在分享给战斗在维修一线的大侠们。希望与大家一起讨论，交流心得。望大家看后留言。同时，请多支持我新开的淘宝小店。电磁炉是大功率电器，工作环境恶劣，油多，潮湿，经常有蟑螂、小虫子爬进去吹风，是非常容易损坏的家用电器。 而坏掉的电磁炉中，十个有九个半当中的igbt都会烧坏掉，还有半个是整流桥烧坏的。引起igbt烧管，大多数原因是电路板中有其它元件损坏导致的。因此要彻底修好一台电磁炉，必须先要检查电路中的其它问题，以免再次引起igbt烧管，损失惨重。在确定电路没有问题前，我们维修电磁炉要用灯泡来作为检测工具，来防止进一步损坏元件。1、电磁炉坏了，先把线盘拆下来。再量一量igbt是否损坏，桥墩是否损坏，如有损坏将其拆下。2、在第1步的基础上,(注意不要接线盘）上电，用万用表检测各关键点的电压是否正常（5v,12v或18v及300v）。如果电压不正常，说明电源模块有问题，需仔细检查电源模块，其中电源ic是很常损坏的元件。

7，电磁炉 igbt功率管

(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120. (2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装. (3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装. (4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301. (5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装. (6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管.
电磁炉损坏igbt功率管主要原因分析电磁炉igbt是什么： igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。原因一：0.3uf/1200v谐振电容、5uf/400v滤波电容损坏或容量不足在电磁炉中，若0.3uf/1200v谐振电容、5uf/400v滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉lc振荡电路频率偏高，从而引起功率管 igbt管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uf和5uf电容一起更换。原因二：igbt管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制igbt管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到igbt 管的g极，导致igbt管瞬间击穿损坏。常见为驱动管s8050、s8550损坏。原因三：同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到igbt g极上的开关脉冲前沿与igbt管上vce脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时，导致igbt管瞬间击穿损坏。原因四：18v工作电压异常在电磁炉中，当18b工作电压异常时会使igbt管激励电路、风扇散热系统及lm339工作失常导致igbt管上电瞬间损坏。原因五：过热电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大，如果散热系统出现异常会导致 igbt管过热而损坏。原因六：单片机异常单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁igbt管。原因七：vce检测电路异常vce检测电路将igbt管集电极上的脉冲电压通过电阻分压、取样获得其取样电压送入cpu，cpu检测该电压的变化，做出各种相应指令。当vce检测电路异常时，vce脉冲幅度值超过igbt管极限值，从而导致igbt管损坏。原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平在锅底产生的涡流不能均匀地使变形的锅具加热，从而使锅底温度传感器检温失常，cpu因检测不到异常温度而继续加热，导致功率管的损坏。

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