H20r1202多少钱，请问H20R1202能不能代换H20R1203的三极管呢
来源：整理 编辑：维修百科 2024-01-23 19:53:32
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1，请问H20R1202能不能代换H20R1203的三极管呢
2，这打火机多少钱
感觉不会很高的，，这个造型早几年，现在估计是地摊低仿~这个牌子完全没见过，而且看这个色光还有表面粗糙，可能是高档的象征，恕我直说
3，三极管h20r1202是什么意思
1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。 2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 3、h20r1202是三极管的一种型号。H20，20AR120，1200V最后的2，是设计序号
4，G7PH35UD1E用什么可以代替
一样的，只不过是两个加工工艺，效果来说1202好一点，1203的稳定性差一点，不过我建议你用h20r1202来代换，差不了几块钱，但是稳定性要好很多，而且温升会小很多G7PH35UD1-E是场效应管，，用场效应管h25r1202代替。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。我负责任的告诉你，都是场效应管，用h25r1202即可，我刚修了一个，没问题
5，电磁炉功率管H20R1203用什么代换
H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。扩展资料：在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。参考资料来源：搜狗百科——IGBTH20R1203可代用管：25N120、25T120、H20R1202、25N150D、PHGW1220、IHW20N120R3、 IHW30N120R2、 IHW30N160R2 、IKW40N120T2、IKW40N120H3、 IKW20N60T IKW30N60H3、IKW50N60H3、IKW50N60T、IKW75N60T、IDP45E60、IDW75E60 IDW100E60提示：如果功率管烧坏，有可能桥整流和升压电容也被烧坏，这两个东西没修好之前换上功率管还会烧坏，如果没有维修经验的话还是送修。h20r1203参数:1200v20a1.48ⅴh20r1353参数:1350ⅴ20a1.6ⅴh20r1353可以用h20r1203代换，但有点勉强。
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H20r1202多少钱 请问H20R1202能不能代换H20R1203的三极管呢
