电磁炉igbt 哪个比较好，电磁炉中的IGBTH20R1202和H20R1203的区别是什么
来源：整理 编辑：维修百科 2025-05-21 03:58:59
1，电磁炉中的IGBTH20R1202和H20R1203的区别是什么
没有区别，电流20A，耐压1200V，可以互换。尾号数字不同可能是元件的标记号，与元件的参数无关。
2，看下这两个是什么零件是电磁炉散热片下面的有个好象是IGBT
家用电磁炉上面共有一个IGBT，三个脚的那个，一般厂家用的是英飞凌，西门子的，另外的整流桥，相当于4个二极管整流，短路的原因很多，不一定是IGBT坏了，也有可能是整流桥坏了，具体原因要具体分析，如果自己不是专业搞维修的，我建议不要自行更换，如果有其他原因导致IGBT坏了，那你换上去一个还得坏，IGBT的价格可不低啊。
3，我现在做一个大功率的电磁炉功率要达到10KW左右请问我该需要
你们光考虑IGBT可不行，楼上的说的线盘确实是主要的，但是还有更主要的，你们应该考虑整流桥和共振电容的选择，IGBT的好弄就楼上说的就可以把几个小的一并就能用，但是线盘的电感量和谐振电容的容量要是配合不好是会经常烧管子的赛米控的SKM75GB063D 600V 100A（220V供电）难，他给的管耐不够，耐压要超过1200伏，我自己做只到三点五千瓦，管不是问题，几个小的并就可以了，线盘是个大问题，
4，igbt模块哪家最好
富士IGBT模块性价比好，独立IGBT芯片制造富士IGBT北京总代理-北京威柏电子其中igbt又包括单管式和模块式，但是模块式要比单管式耐用的多，功率大故障率低对环境要求低；归根结底igbt逆变焊机是现在逆变焊机中最好的 igbt电要说质量肯定是英飞凌的好，那是没话说的。但是相对的价格也很高。像国内的嘉兴斯达的IGBT模块，芯片是采用英飞凌的，封装是自己装，所以质量上和英飞凌相差不大，但价格上比英飞凌便宜很多。富士的芯片跟英飞凌还是要差的。个人使用后感觉斯达的性价比不错的。希望对你有帮助没有最好，只有是否适合自己的使用。性价比还是比较重要的吧。从性能上讲，应该是英飞凌，毕竟行业老大。
5，问喜爱IGBT模块哪个牌子最好
国外的推荐林肯，松下国内的大功率焊机工业用推荐：济南奥太，北京时代，性价比还不错国内小功率民用推荐：瑞凌，佳士，知名品牌中价格相对便宜些逆变焊机的技术经过那么多年的发展已经很成熟了，即使很多小公司生产的如果不是严格要求工艺和细节的话也没什么问题，主要欠缺的可能是售后和服务上。igbt相比较mos的最大优点就是功率大第一次回答问题，求最佳美国IR、Fairchild、IXYS、APT；日本的Fuji、Sanken、Toshiba、Mitsubishi；欧洲的ST、Semikron、EUPEC；台湾的富鼎先进、茂达电子等。Semikron、EUPEC、Mitsubishi、Sanken、Fairchild、Fuji、IR、Toshiba、IXYS、ST是国内IGBT市场中销售额位于前十位的企业。
6，适用于电磁炉的IGBT管型号有哪些
IGBT管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高，而前级由于使用vmos所以驱动功耗小，不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢 电磁炉的IGBT管很多，比较常见的有英飞凌的SKW20N60HS（20A/600V），仙童的FGA25N120（1200V/25A），IKW15T120电磁炉专用管（1200V/15A），IKW25T120（1200V/25A）等等，详细的可用到www.mosigbt.com了解，他们有很详细的IGBT管运用说明
7，电磁炉igbt是什么
IGBT的工作原理？由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构，可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成，由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。。以图1为例分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时，器件处于反向截止状态。此时J1、J3结反偏、J2结正偏，J1、J3反偏结阻止电流的流通，反向电压主要由J1承担。当栅极G与发射极E短接，集电极C相对于栅极加正电压时，J1、J3结正偏、J2结反偏，电流仍然不能导通，电压主要由反偏结J2承担，此时IGBT处于正向截止。PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得较好的正向阻断特性，而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极C加正电压，栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道开启，器件进入正向导通状态。igbt(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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