晶体管有哪些参数，2cp4晶体管参数有什么

1，2cp4晶体管参数有什么

①、关于以上这2CP4属于硅整流二极管其参数是//耐压:400Ⅴ//电流:1A//。

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2，表明晶体管质量的优劣的主要参数有哪些

一般，电流放大系数、击穿电压和穿透电流是主要的参数。如果是特殊用途的晶体管，还有其它一些参数。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

表明晶体管质量的优劣的主要参数有哪些

3，什么叫晶体管的Y参数例如Yie28j35ms中的2835代表什么呀

同问。。。

Y参数属于晶体管的网络模型参数之一，用输入、出端口的电压表示输入、出端口的电流。具体到Yie=(2.8+j3.5)ms表示：输出端口短路时，输入端口加电压，对应有输入端口的电流，电流与电压的比为：(2.8+j3.5)ms。代表晶体管的输入端口可以用一容性阻抗模拟，对应电导为：2.8ms，电纳为：3.5ms。

什么叫晶体管的Y参数例如Yie28j35ms中的2835代表什么呀

4，BVces是晶体管的什么参数

基极开路的状况就对应于上述的击穿电压BVceo，如果基极-发射极短路的状况所对应的击穿电压为BVces、基极-发射极之间接有电阻Rb的状况所对应的击穿电压为BVcer、基极-发射极之间接有反向偏置电源的状况所对应于击穿电压为BVcex，基极-发射极之间接有正向偏置电源的状况所对应于击穿电压为BVcez，则这些击穿电压之间的大小关系为： BVcez

没有这样的参数，有BVceo，还有Vcesat，分别是集电极-发射级的反向击穿电压，饱和压降。

最重要的你好像没有说清楚，传感器！晶体管的型号也很重要。测量转速通常的方法是：电机转子每转一周传感器会发出一个或几个乃至几十个脉冲，计算每秒钟的脉冲数或两个相邻脉冲之间的时间间隔，在转换成转子转速。这种方法通常也需要一个晶体管将脉冲信号放大、整形后计数。

5，晶体二极管的主要参数

你问的比较笼统，不太好解释。简单介绍以下主要参数： ⑴反向恢复时间反映开关管特性好坏的一个参数。开关二极管的开关时间为开通时间和反向恢复时间的总和。开通时间是指开关二极管从截止至导通所需时间，开通时间很短，一般可以忽略；反向恢复时间是指导通至截止所用时间，反向恢复时间远大于开通时间。因此反向恢复时间为开关二极管主要参数。一般硅开关二极管的反向恢复时间小于3ns～10ns；锗开关二极管的反向恢复时间要长一些。 ⑵反向击穿电压是指在开关二极管两端的反向电压超过规定的值，使二极管可能击穿的电压。 ⑶最高反向工作电压是指加在开关管两端的反向电压不能超过规定的允许值。 ⑷正向电流是指开关二极管在正向工作电压下工作时，允许通过开关管的正向电流。（5）结电容指在一特定反向偏压下，变容二极管内部PN结的电容。至于具体的我给你个百度百科地址，你可以好好研读一下，应该会有更深的了解！http://baike.baidu.com/view/981636.html?wtp=tt

这样看，首先，二极管当成理想模型来看，所以二极管的导通条件是阳极电压大于阴极电压。下面是分析：1.a接低电平0，b接低电平0时，由于两个二极管的阳极电压（6v）都大于阴极电压（0v），所以二极管导通，二极管一旦导通，在电路中相当于一根导线，所以电压表的y点就相当于通过二极管直接接入最下面的那个点，也就是地，所以此时电压表没有示数。2.当a接低电平0，b接高电平1时，由于上面的那个二极管导通，下面的那个二极管截止。所以上面的那个二极管相当于导线，电压表的y点可以通过它直接接地，所以电压表仍然没有示数。3.当a接高电平1，b接低电平0时，和上面的分析方法类似，只不过这回是下面的二极管导通，上面的二极管截止，所以下面的那个二极管相当于导线，电压表的y点可以通过它直接接地，所以电压表仍然没有示数。4.当a接高电平1，b接高电平1时，由于两个二极管均截止，所以二极管所在的支路可以看成是断路，所以电压表的y点相当于只通过电阻r然后接了6v的电压，所以只有此时，电压表有示数，输出电压为+6v（清晨原创）

6，晶体管哪些电学参数与集电区的杂质浓度厚度有关

晶体管集电区的杂质浓度、厚度，这两个涉及到晶体管的基本构造形式，是晶体管最基础的东西，基本上所有涉及晶体管的参数都会影响到。要想弄清楚具体怎么影响，就好好读读晶体管设计原理，构造形式，电子电器特性，电路应用等。另外百度些晶体管相关电学参数，共同学习：晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。　　根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。　　1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。　　2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。　　hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。　　耗散功率　　耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。　　耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。　　通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。　　频率特性　　晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。　　晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。　　1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。　　通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。　　2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。　　通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。　　集电极最大电流ICM　　集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。　　最大反向电压　　最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。　　1、集电极——集电极反向击穿电压该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。　　2、基极—— 基极反向击穿电压该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。　　3、发射极——发射极反向击穿电压该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。　　反向电流　　晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。　　1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。　　2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

7，晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。　　※ 电流放大系数　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。　　根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。　　　半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。　　半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。　　三极管的导通三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。　　　如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 ※ 电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。...晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 ※ 电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1、直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2、交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。半导体三极管，是内部含有两个pn结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为ttl电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是ttl与非门。ttl与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“v”或“vt”（旧文字符号为“q”、“gb”等）表示。半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（bjt）和场效应晶体管（fet）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由n型跟p型组成发射极（emitter）、基极 (base) 和集电极（collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、ce组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。三极管的导通三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变，如果三极管ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时ic电流的变化只随着ib的交流信号变化，ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的ic不再变化，三极管将工作在开关状态。三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。请对照三极管手册的ib；ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。

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