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1,三极管6N60能代换P4NK60ZFP吗

在驱动电流够大的情况下可以代换
我也不确定,还是看看专业人士怎么说。

三极管6N60能代换P4NK60ZFP吗

2,场效应管6N60所有6N60都能通用吗所有6N60管脚排列都是一样的吗

可以代换,只是功率稍小,待有原件后,应换回来!

场效应管6N60所有6N60都能通用吗所有6N60管脚排列都是一样的吗

3,2n60b可以用6N60代换吗

可以代换
前者用10n60 后者用4n60就可以直接代换 祝您早日解决问题

2n60b可以用6N60代换吗

4,6n60和8N80C可以直接代换吗

可以。某个文字、符号或图片,将已经存在的文字、符号或图片换下来。1.把原来的(工作着的人_使用着的衣物等)调换下来;倒换。这就是替换的意思。

5,场效应管6N60能不能代替5N60

6N60是6A/600V5N60是5A/600V可以代替
你算一下功率,查一下它的电流,如果平均电流小于3a是没问题的。

6,MIP6N60用什么管可以代换

可以用15n70代换 75n75 电流12A耐压600V,用参数一样或稍大一点的代换如15N60,40N60,15N120(耐压1200V)

7,场效应管6N60可以用CS630代用吗谁有参数

6N60不能用CS630代用,因为两者不是同一种功能的器件,6N60是N-MOSFET,600V、6.2A、62.5W。而CS630却是大功率单向可控硅,基本参数是1200V、630A。两者的封装形式及电路符号如下:CS630
你好!不能仅代表个人观点,不喜勿喷,谢谢。

8,开关管7N65FB能跟6N60c代换吗

7N65FB不能跟6N60c代换。这7N60f场效应管的耐压比7N65fb少50V,没什么余量,如果电路要求不高的话,只能对付着用,最好还是选择原来的7N65fb场效应管即可。个人观点是不建议代换的。

9,场效应管4n60可以用6n60或是8n60代换吗

场效应2113管4n60完全可以5261用6n60或是8n60代换:41024N60:N沟道1653 4A,内600V,2.5Ω,容VGS=10V,33W6N60:N沟道 6.2A,600V,1.5Ω,VGS=10V,40W8N60:N沟道 7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS = 10V,147W

10,8n60场效应管可以代替6n60吗

8n60场效应管完全可以代替6n60的,8n60场效应管的主要参数是:耐压A=600V,B=650V,电流7.5A,RDS=1.2Ω,而6n60的主要参数是:耐压A=600V,B=650V ,电流=6.2A,RDS=1.5Ω。

11,4n60和6N60可以代换用吗

可以
场效应管4n60完全可以用6n60或是8n60代换:4n60:n沟道 4a,600v,2.5ω,vgs=10v,33w6n60:n沟道 6.2a,600v,1.5ω,vgs=10v,40w8n60:n沟道 7.5a, 600v, 1.2ω,vgs = 10v,147w

12,6N60能代换6N90吗

(1)6N60和6N90都是N沟道场功率效应管6N60功率效应管的漏源电压为600V,栅源电压为30V,最大漏极电流为6.2A。而6N90功率效应管的漏源电压为900V,最大漏极电流为6.2A(2)由于6N60功率效应管和6N90功率效应管的漏源电压不同所以不能用6N60代换6N90。

13,sss6n60a场效应管用什么代换

sss6n60a场效应管的参数为:6A 600V。可用2SK2141代换。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
电源开关管,600v、6a。 2sk2141、2645、2761、1117、1118、1507、fs7km、6n70、6n80…………
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14,sss6n60a场效应管用什么代换

sss6n60a场效应管的参数为:6A 600V。可用2SK2141代换。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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