为什么光敏三极管发射极要加电阻，三极管发射极加个电阻启什么作用
来源：整理 编辑：维修百科 2022-11-22 07:05:33
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1，三极管发射极加个电阻启什么作用
rc集电极电阻为负载电阻，因为三极管本身只能放大电压，ic=bib，加了电阻rc将放大电流转换成电压输出，就成为电压放大电路啦。re发射极电阻降低温度因素对静态偏置电压的影响从而稳定放大倍数b，使得放大电路工作更加稳定可靠。
2，为什么 三极管发射极要一个小电阻
是基极吧，基极那个电阻是限流电阻，防止调节变阻器电阻值过小时，流过的基极电流过大，烧毁三极管，串接电阻后，即使变阻器电阻为零，也不会发生电流过大的问题
3，为什么三极管放大电路中需要电阻
①、向三极管在放大电路中，需要电阻的原因是比如：某一三极管放大电路，如果想让三极管得到正常稳定的工作，那就必须从三极管的基极b极端加有上偏值电阻、和下偏值电阻，这两只电阻值经过电路设计和计算而确定电阻值参数的，所以有了这个偏值电路，三极管就可以正常导通，而使三极管工作进行放大，之后三极管的集电极就输出相应的放大信。如果不加电阻的话，三极管只能起到一个开关的作用。也就是通过控制基极的电位高低来控制集电极和发射极的通断。而且，在放大电路中，这个三极管偏流电阻的大小也是有讲究的，你最好是能找基本关于电子电路基础的书来看一下。
4，光敏三极管为什么串联一个电阻
这是根据电路需求，决定是否要串联电阻的，例如如果没有负载只是取样不加串联电阻的话，直接连接在电源两端就会造成电源短路，光明三极管也会因为大电流而损坏等等。
5，三极管发射极电阻起着什么作用
rc集电极电阻为负载电阻，因为三极管本身只能放大电压，ic=bib，加了电阻rc将放大电流转换成电压输出，就成为电压放大电路啦。re发射极电阻降低温度因素对静态偏置电压的影响从而稳定放大倍数b，使得放大电路工作更加稳定可靠。一般那要看你的三极管是哪一类放大了，如果是共发射极放大，则是与集电极电阻配合来设置三极管的工作电流与工作电压，也就是静态工作点了，另外也决定着放大倍数。回答不够详细，你需要多学习具有两个作用一是稳定直流静态工作点作用例如分压式工作点稳定偏执电路，由RB1RB2RE三个电阻组成，这种应用非常广泛，主要是解决三极管受环境温度变化引起的β变化和穿透电流变化导致的工况偏移问题。二是具有负反馈作用，RE并联一个电容器具有直流负反馈作用；RE不并联电容器具有交流和直流负反馈作用（电流串联负反馈）。
6，三极管极集电与发射极加电阻有什么作用
Rc集电极电阻为负载电阻，因为三极管本身只能放大电压，Ic=BIb，加了电阻RC将放大电流转换成电压输出，就成为电压放大电路啦。Re发射极电阻降低温度因素对静态偏置电压的影响从而稳定放大倍数B，使得放大电路工作更加稳定可靠。
7，三极管为什么发射极要接电阻接地基极接电容接地
三极管发射极接电阻接地起到负反馈作用，基极接电容起到通交流隔直流的作用稳定工作点。三极管发射极对地电阻是负反馈电阻，用于稳定工作点，改善晶体管的开关特性,因为晶体管由开通到关断有一个存储时间,而起存储时间会随温度升高而变长,加射极电阻就是可以抑制这种变化的速率,从而加速晶体管的关断，避免三极管深度饱和。 基极对地电容是为旁路电容，用于高频滤波，提高抗干扰能力。当有高频交流杂波干扰过来时，此电容可将其对地交流短路，从而消除干扰。共射极的放大电路，发射极电阻接地，是为了负反馈，稳定工作点，一般基极接电容耦合的话，。那是隔直通交，使前级直流工作点隔离，你是基极接电容到地的话，那要看电容容量多大？一般低通滤波用，或者直流放大器，隔离交流信号。你这问的不全!在共射线路中!发射极接地中串一电阻是为了稳定放大器性能用的,因那是一个直流负反馈,如再加一电容那就是均恒带宽用的,也是一负反馈,你这基极接电容接地我就不理解你说的是什么了!请再明示.一般基极常接耦合电容,可不是接地的了.三极管发射极接电阻主要是稳定工作点，原理就是负反馈。这你可以看看三极管的典型偏置电路的详细说明。基极电容交流接地，简单的理解是滤波用的。从你的问题来看，如果基极用电容交流接地的话，电路应该是射随器或共基极电路。你最好是贴个图，方便识别。
8，三极管为什么发射极要接电阻接地基极接电容接地
你这问的不全!在共射线路中!发射极接地中串一电阻是为了稳定放大器性能用的,因那是一个直流负反馈,如再加一电容那就是均恒带宽用的,也是一负反馈,你这基极接电容接地我就不理解你说的是什么了!请再明示.一般基极常接耦合电容,可不是接地的了.
9，为什么 三极管发射极要一个小电阻
在三极管的基极上加一个电阻的话，有什么作用呢？今天算长见识了
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10，三极管发射极为什么接一个电阻
在三极管的基极上加一个电阻的话，有什么作用呢？今天算长见识了
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11，三极管极集电与发射极加电阻有什么作用
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小。扩展资料三极管在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。参考资料来源：百度百科-三极管参考资料来源：知网-晶体三极管的发射结反偏 集电结正偏
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