为什么三极管be结击穿，当三极管的Ube低于导通电压或为0时说明三极管be结已内部开路
来源：整理 编辑：维修百科 2022-11-27 00:27:27
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1，当三极管的Ube低于导通电压或为0时说明三极管be结已内部开路
2，三极管BE结是什么
以npn管为例，三极管共有两个pn结：b-e间的pn结和b-c间的pn结。在三极管正常工作时（在放大状态下）， b-e间的pn结是pn通（正向），b-c间的pn结是np通（反向）。
3，三极管be总是被击穿如何解决
耐压太低 选更高一些的我看错了……BE总是被击穿 证明BE承受了反向电压 这说明三极管工作在截止区 也就是所谓“反常偏置工作状态” 不知道您的电路是什么样子的 为什么会出现这种情况 如果这个三极管不应该工作在这个区域 那就是电路工作有问题 如果必须工作在这个区域 可以在基极串联限流电阻 只要保证击穿后电流不太大 就不会烧毁晶体管至于三极管工作于截止区的相关文献 请参阅《（无线电爱好者丛书）低电压晶体管电路》（徐业林编著 人民邮电出版社出版） 76-78页
4，三极管BE为什么会直接连起来
有3种可能：1. 或被人修理过，搭锡；2. 制造商因为型号原因，需要使某一功能不工作，BE短路，使三极管停止工作。3. 当二极管使用，而不再改变设计。三极管的vbe是一个负温度系数，随着温度提高vbe减小。如果vbe的变化影响到三极管的工作状态的话，那么就会导致电路功能异常。所以电路再设计中一定要考虑温度的影响，给它提供合适的设计余量保证在一定温度内正常工作。
如果温度过高超过150°，那么整个三极管pn结就会工作异常。
正是因为温度对三极管有影响 所以三极管工作温度不能太高（但不是怕热），只要工作在它指标范围内，就能正常工作
5，为什么三极管BE直流电压会随着信号增大而下降然后再加信号BC极就
BE直流电压(偏置)就像一有限容器中的水，信号电压就像船.正常情况下，偏置承载着信号电压顺利的送到负载.但是三极管的承载能力是有限的，随着输入信号增强到其有限范围时，便被送进入了饱和区.此时三极管就失去了正常工作（模拟电路）的能力（例:振荡.放大等），输入信号电压若进一步增强，PN结就将被摧毁.击穿了。 注意，这仅仅是比喻，真实的PN结内部工作是相当复杂的.不是几句话可以讲清楚的.建议您系统的看点此类的专著.温度产生的飘逸，信号增大的时候温度上升，继续增大就击穿。用一般数字与机械万用表就行啊。选用合适的量程，即量程选用在接近但不大于被测电压以下。电压测量是并联。低压时可通电测量，高压连接好表棒后通电测量（三极管没这样高的电压的，在此没用）。mos管测量要考虑内阻，建议用数字表或高内阻的机械表
6，为何三极管很少说起BE的耐压值
不用说明都应该知道硅管Vbe大概是0.6v~0.8v，锗管Vbe大概是0.1v~0.3v，如果测出三极管再放大电路中Vbe不是这范围内，三极管多半坏掉了耐压值，通常用vceo，（有时还用vcbo），二者接近，cb击穿后，也就相当于ce击穿了。电流值，通常指ic，（ie=ic+ib，约等于ic），评价耗散功率都是指c极。实际应用中，VBE都是很小的电压就可以工作了，除非故障否则BE不会出现较大电压三极管的be结就是个二极管，Vbe就是二极管的正向压降。跟二极管一样，正向有正向饱和电压指标，即Vbe（CES）或；很多三极管都有给出的。VEB是be结的反向击穿电压。VCB的指标为叫VCBO，CB结的击穿电压。VCE有：Vce（CES），CE间饱和电压；Vceo，CE间击穿电压。
7，三极管bc817的BE被击穿求原因帮忙看一下原理有什么问题么
三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压ub有一个微小的变化时，基极电流ib也会随之有一小的变化，受基极电流ib的控制，集电极电流ic会有一个很大的变化，基极电流ib越大，集电极电流ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。ic 的变化量与ib变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=δic/δib, δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。 下面说下三极管的电流放大原理 它是由2块n型半导体中间夹着一块p型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的pn结称为发射结,而集电区与基区形成的 pn结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而c点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源ec要高于基极电源ebo。
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