1，电子元器件上的VCC是代表什么

电源的意思 供电

电子元器件上的VCC是代表什么

2，pp表示什么

PPMM（漂亮MM） 打你PP（屁股）
照片
pp在音乐中是很弱的意思！

pp表示什么

3，电子血压计pp显示数字表示什么意思

显示的高压就是血压中收缩压的测量值，收缩压的范围在90-140之间是在正常的范围之内，低压就是血压中的舒张压的测量值，舒张压的数值范围在90-60之间是正常范围，脉搏是每分钟心跳频率。

电子血压计pp显示数字表示什么意思

4，请问电路中vdd vcc表示什么谢

地，电源正
在电子电路中，常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号，它们有什么区别呢？ 一、解释 VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压； VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压； VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 二、说明 1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。 2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。 3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
Vdd vcc都是表示电源 没有正负之分的
vcc一般表示供电电源正极 vdd 一般表示供电电源负极

5，VBAT VCC各代表什么电压呀有什么区别

VBAT是电源电压，VCC是电路电压，由于电源有内阻，所以一般VCC比VBAT要小一些。电压也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功，电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。电压的国际单位制为伏特(V，简称伏)，常用的单位还有毫伏(mV)、微伏(μV)、千伏(kV)等。此概念与水位高低所造成的"水压"相似。需要指出的是，"电压"一词一般只用于电路当中，"电势差"和"电位差"则普遍应用于一切电现象当中。分类电压可分为高电压，低电压和安全电压。高低压的区别是:以电气设备的对地的电压值为依据的。对地电压高于1000伏的为高压。对地电压小于或等于1000伏的为低压。其中安全电压指人体较长时间接触而不致发生触电危险的电压。 按照国家标准《GB3805-83》安全电压规定了为防止触电事故而采用的，由特定电源供电的的电压系列。我国对工频安全电压规定了以下五个等级，即42V，36V，24V，12V以及6V。常见的电压值电视信号在天线上感应的电压约0.1mV；维持人体生物电流的电压 约1.2mV；碱性电池标称电压1.5V；电子手表用氧化银电池两极间的电压1.5V；一节铅蓄电池电压2V；手持移动电话的电池两极间的电压 3.7V；对人体安全的电压干燥情况下不高于36V。
VBAT是电源电压，VCC是电路电压，由于电源有内阻，所以一般VCC比VBAT要小一些。
VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier) 在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压： VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd ! 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。
VCC 电源电压和VBAT电池电压

6，塑料的pppepvc代表什么意思啊

PP--- 聚丙烯 是一种高聚物，单体是丙烯CH2＝CH－CH3，通过加聚反应得到聚丙烯，化学式可表示为（C3H6）n，结构简式可表示为〔－CH2－CH(CH3)－〕nPE --- Polyethylene，聚乙烯，是结构最简单的高分子有机化合物，当今世界应用最广泛的高分子材料，由乙烯聚合而成，根据密度的不同分为高密度聚乙烯、中密度聚乙烯和低密度聚乙烯。PVC---聚氯乙烯 本色为微黄色半透明状，有光泽。透明度胜于聚乙烯、聚丙烯，差于聚苯乙烯，随助剂用量不同，分为软、硬聚氯乙烯，软制品柔而韧，手感粘，硬制品的硬度高于低密度聚乙烯，而低于聚丙烯，在屈折处会出现白化现象。常见制品：板材、管材、鞋底、玩具、门窗、电线外皮、文具等。是一种使用一个氯原子取代聚乙烯中的一个氢原子的高分子材料。 PS--聚苯乙烯(Polystyrene，简称PS)是一种无色透明的热塑性塑料。通式是[(CH2CHC6H5)n]。具有高于100摄氏度的玻璃转化温度，因此经常被用来制作各种需要承受开水的温度的一次性容器，以及一次性泡沫饭盒等。 普通聚苯乙烯（GPPS） 普通聚苯乙烯树脂为无毒.无臭.无色的透明颗粒，似玻璃状脆性材料.其制品具有极高的透明度，透光率可达90％以上，电绝缘性能好，易着色.加工流动性好，刚性好及耐化学腐蚀性好等。*不能冲茶。原因是普通聚苯乙烯的不足之处在于性脆，冲击强度低，易出现应力开裂，耐热性差及不耐沸水等。所以不能拿来冲茶。。。
PP聚丙烯PE聚乙烯，都是英文缩写。PET就是用来做可乐瓶的。一般PE的透气性更好！如果要了解更多专业塑胶知识，倒是有一个叫“韧客塑胶技术BBS）你百度搜索下，韧客，就能找到的！
PP聚丙烯PE聚乙烯PVC聚氯乙烯只有PP可以 PS是聚苯乙烯，一般不用作食品级产品现在市面上的塑料杯子，质量最好的是PC（聚碳酸酯）。
PP是聚丙烯，PE是聚乙烯，PVC是聚氯乙烯。你说的冲茶是什么意思？就是开水进去塑料不会发生分解吗？如果是这个意思的话，高密度聚乙烯（HDPE）和PP都是可以的，而PVC因为存在降解释放游离的氯乙烯单体（有毒），所以只能作为一般的塑料用，不能作为包装食品的塑料。
PP聚丙烯PE聚乙烯PVC聚氯乙烯冲茶？不太清楚，这些都是化工品，都不太好吧
pvac 聚醋酸乙烯酯 pvc 聚氯乙烯 pe 聚乙烯 pp 聚丙烯 pb 聚丁烯 pva 聚乙烯醇 还有要知道的是 pmma 聚甲基丙烯酸甲酯 ps 聚苯乙烯 sbr 丁苯橡胶 pet 聚对苯二甲酸乙二醇酯 iir 丁基橡胶

7，三极管VCCVceoVcboVeboIcmPcmft mHZ分别代表什么以及

以下是我的收藏：奉献给你吧！ 三极管的参数解释 △ λ---光谱半宽度 △VF---正向压降差 △Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 Cib---共基极输入电容 Cic---集电结势垒电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cjo---零偏压结电容 Cjv---偏压结电容 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 CL---负载电容（外电路参数） Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov)---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP---正向脉冲电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF---正向总瞬时电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop---工作电流 Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP---峰点电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 Irp---反向恢复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） ir---反向恢复电流 iR---反向总瞬时电流 ISB---二次击穿电流 Is---稳流二极管稳定电流 IV---谷点电流 Izk---稳压管膝点电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n---电容变化指数；电容比 PB---承受脉冲烧毁功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pc---集电极耗散功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 PGM---门极峰值功率 PG---门极平均功率 Pi---输入功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪声功率 Pomax---最大输出功率 Posc---振荡功率 Po---输出功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Ptot---总耗散功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q---优值（品质因素） r δ---衰减电阻 R(th)ja----结到环境的热阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r(th)---瞬态电阻 rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RE---射频电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RG---信号源内阻 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL---负载电阻 RL---负载电阻（外电路参数） roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth---热阻 Rth----热阻 Rz(ru)---动态电阻 Ta---环境温度 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tc---壳温 td---延迟时间 td----延迟时间 tfr---正向恢复时间 tf---下降时间 tf---下降时间 tgt---门极控制极开通时间 tg---电路换向关断时间 Tjm---最大允许结温 Tjm---最高结温 Tj---结温 toff---关断时间 toff---关断时间 ton---开通时间 ton---开通时间 trr---反向恢复时间 tr---上升时间 tr---上升时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 Tstg---贮存温度 ts---存储时间 ts---存贮时间 Ts---结温 V n---噪声电压 V v---谷点电压 V（BR）---击穿电压 VAGC---正向自动增益控制电压 VB2B1---基极间电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10---发射极与第一基极反向电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VB---反向峰值击穿电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCB---集电极-基极（直流）电压 Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 Vc---整流输入电压 VDRM---断态重复峰值电压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEB---饱和压降 VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）---正向平均电压 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VGT---门极触发电压 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 Vn---中心电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vo---交流输入电压 Vp---穿通电压。 Vp---峰点电压 VRM---反向峰值电压（最高测试电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VSB---二次击穿电压 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth---阀电压（门限电压） Vz---稳定电压 δvz---稳压管电压漂移 η---单结晶体管分压比或效率 λp---发光峰值波长

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