什么情况需要加 缓冲级电路，载波振荡器后为什么加一级缓冲电路
来源：整理 编辑：维修百科 2023-04-19 02:39:05
1，载波振荡器后为什么加一级缓冲电路
2，逻辑门为什么要加缓冲电路
加缓冲电路是为了增加驱动能力. 加非门是为了调节相位.
3，GTO为什么要设置缓冲电路缓冲电路的工作原理是什么
现在的超级单片机aft电路无需外接电路,全部内部完成,aft是自动频率控制的意思,此电路处问题一般是跑台,搜索不存台等等.老机器是中周损坏的多.
4，为什么要在CMOS逻辑门电路输入和输出端加保护和缓冲电路
《数字电子技术基础（第2版）学习指导与解题指南》另外，CMOS门电路输出的低电平也受输入端数目的影响。输入端数越多，则串联的NMOS管越多，输出的低电平电压也越高。为了避免经过多次串、并联后带来的电平平移和对输出特性的影响，实际的CMOS门电路常常引入反相器作为每个输入端和输出端的缓冲器，大大改善了CMOS门电路的电气特性（比如电压传输特性、输入特性、输出特性、动态特性等）。
5，集成电路中缓冲器的作用
集成电路中缓冲器的作用缓冲寄存器又称缓冲器，它分输入缓冲器和输出缓冲器两种。前者的作用是将外设送来的数据暂时存放，以便处理器将它取走;后者的作用是用来暂时存放处理器送往外设的数据。由于缓冲器接在数据总线上，故必须具有三态输出功能。最基本线路构成的门电路存在着抗干扰性能差和不对称等缺点。为了克服这些缺点，可以在输出或输入端附加反相器作为缓冲级;也可以输出或输入端同时都加反相器作为缓冲级。这样组成的门电路称为带缓冲器的门电路。带缓冲输出的门电路输出端都是1个反相器，输出驱动能力仅由该输出级的管子特性决定，与各输入端所处逻辑状态无关。而不带缓冲器的门电路其输出驱动能力与输入状态有关。另一方面。带缓冲器的门电路的转移特性至少是由3级转移特性相乘的结果，因此转换区域窄，形状接近理想矩形，并且不随输入使用端数的情况而变化、加缓冲器的门电路，抗干扰性能提高10%电源电压。此外，带缓冲器的门电路还有输出波形对称、交流电压增益大、带宽窄、输入电容比较小等优点。不过，由于附加了缓冲级，也带来了一些缺点。例如传输延迟时间加大，因此，带缓冲器的门电路适宜用在高速电路系统中。
6，在cmos系统中 什么情况下需要使用缓冲器
缓冲器又称缓冲寄存器，它分输入缓冲器和输出缓冲器两种。前者的作用是将外设送来的数据暂时存放，以便处理器将它取走；后者的作用是用来暂时存放处理器送往外设的数据。有了数控缓冲器，就可以使高速工作的CPU与慢速工作的外设起协调和缓冲作用，实现数据传送的同步。由于缓冲器接在数据总线上，故必须具有三态输出功能。专利名称：Cmos输入缓冲器的制作方法技术领域：发明涉及一种CMOS输入缓冲器电路，特别涉及一种基于线性度补偿技术的CMOS输入缓冲器电路。应用领域是需要高线性输入缓冲器的CMOS模拟IC和数模混合IC领域。背景技术：高线性CMOS输入缓冲器电路对于CMOS模拟IC和数模混合IC设计具有非常重要的意义。作为输入信号与信号处理电路的接口单元，输入缓冲器的线性度将直接限制系统级的精度指标。传统的输入缓冲器电路多采用BJT器件，以射极跟随结构搭建。而随着现代CMOS工艺的发展和大规模应用，使用CMOS器件，以源极跟随结构搭建的CMOS输入缓冲器电路开始取代传统BJT结构，如图I所示。虽然CMOS工艺比双极性工艺有许多的优势，但是CMOS器件相对于BJT器件来说，输入跨导和输出阻抗更低，最主要是寄生更严重，器件参数非线性变化显著。因此，CMOS输入缓冲器的线性度相比传统结构要低。原有的一些BJT输入缓冲器电路线性提高技术不适合CMOS工艺，在CMOS输入缓冲器电路中为了提高其线性度，通常采用的解决方式是增大尾电流管的电流值来提高输入跨导，但这种做法不仅加大了电路的版图面积，且极大增加了系统功耗。基于以上所述，需要一种能够适用于CMOS输入缓冲器电路的线性度提高技术，来满足当前CMOS模拟IC和数模混合IC的设计需要。
7，电力电子器件的缓冲电路有哪些主要作用
1、 缓冲电路的作用与基本类型电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。 GTR、GTO等全控型自关断器件在实际使用中都必须配用开通和关断缓冲电路;但其作用与晶闸管的缓冲电路有所不同，电路结构也有差别。主要原因是全控型器件的工作频率要比晶闸管高得多，因此开通与关断损耗是影响这种开关器件正常运行的重要因素之一。例如，GTR在动态开关过程中易产生二次击穿的现象，这种现象又与开关损耗直接相关。所以减少全控器件的开关损耗至关重要，缓冲电路的主要作用正是如此，也就是说GTR和功率MOSFET用缓冲电路抑制di/dt和du/dt，主要是为了改变器件的开关轨迹，使开关损耗减少，进而使器件可靠地运行。 没有缓冲电路时GTR开关过程中集电极电压uCE和集电极电流iC的波形，开通和关断过程中都存在uCE和iC同时达到最大值的时刻;因此出现了瞬时的最大开关损耗功率Pon和Poff，从而危及器件的安全。所以，应采用开通和关断缓冲电路，抑制开通时的di/dt，降低关断时的du/dt，使uCE和iC的最大值不会同时出现。 GTR开关过程中的uCE和iC的轨迹，其中轨迹1和2是没有缓冲电路的情况，开通时uCE由UCC(电源电压)经矩形轨迹降到0，相应地iC由0升到ICM;关断时iC由ICM经矩形轨迹降到0，相应地uCE由0升高到UCC。不但集电极电压和电流的最大值同时出现，而且电压和电流都有超调现象，这种情况下瞬时功耗很大，极易产生局部热点，导致GTR的二次击穿而损坏。加上缓冲电路后，uCE和iC的开通与关断轨迹分别如3和4所示，由可见，其轨迹不再是矩形，避免了两者同时出现最大值的情况，大大降低了开关损耗，并且最大程度地利用于GTR的电气性能。GTR的开通缓冲电路用来限制导通时的di/dt，以免发生元件的过热点，而且它在GTR逆变器中还起着抑制贯穿短路电流的峰值及其di/dt的作用。GTO的关断缓冲电路不仅为限制GTO关断时再加电压的du/dt及过电压，而且对降低GTO的关断损耗，使GTO发挥应有的关断能力，充分发挥它的负荷能力起重要作用。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。 为开通时的uCE和iC波形，增长极快的iC出现了过电流尖峰iCP，当iCP回落到稳定值时，过大的电流下降率同样会引起元件上的过电压而须加以吸收。逆变器中IGBT开通时出现尖峰电流，其原因是由于在刚导通的IGBT负载电流上叠加了桥臂中互补管上反并联的续流二极管的反向恢复电流，所以在此二极管恢复阻断前，刚导通的IGBT上形成逆变桥臂的瞬时贯穿短路，使iC出现尖峰，为此需要串入抑流电感，即串联缓冲电路，或放大IGBT的容量。 综上所述，缓冲电路对于工作频率高的自关断器件，通过限压、限流、抑制di/dt和du/dt，把开关损耗从器件内部转移到缓冲电路中去，然后再消耗到缓冲电路的电阻上，或者由缓冲电路设法再反馈到电源中去。此缓冲电路可分为两在类，前一种是能耗型缓冲电路，后一种是反馈型缓冲电路。能耗型缓冲电路简单，在电力电子器件的容量不太大，工作频率也不太高的场合下，这种电路应用很广泛。
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