1，插座回路的软击穿是什么意思

何谓软击穿，新概念还是自定概念。假如认为爬电是软击穿的话，那就将烧蚀部分挖去，从新进行绝缘处理便可

插座回路的软击穿是什么意思

2，什么叫电容软击穿

当你用仪表测量时容量正常，但是使用一段时间后、温度升高或者说当电压有波动时，容量和绝缘阻抗急剧变小，就造成软击穿！

什么叫电容软击穿

3，AGP供电场管软击穿什么是软击穿

所谓软击穿，我是这样理解的：离线状态下用万用表检查没问题，在线状态才会表现出问题。对于离线状态下用万用表检查就可以发现数值偏大或偏小的，不能归入软击穿。 在报刊上常常可以看到有人将接触不良、漏电说成软击穿，我有异议。

AGP供电场管软击穿什么是软击穿

4，什么叫软击穿

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5，什么原因会造成二极管软击穿

二极管软击穿有轻度软击穿和重度软击穿。如果后道封装过程中没有问题的话，主要原因有2个：第一，芯片本身的问题-FAB晶圆制造工厂对芯片出厂条件没有严格控制-如出现IR反向漏电流偏上限的情况或溅射或蒸发的势垒金属不够纯洁；分片划片时碰伤芯片等；第二，芯片在运输过程中的撞击、挤压也会造成不同程度的软击穿；

6，什么是三极管的软击穿

　　硬击穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的输出与输入开路或短路。 　　软击穿则可使器件的性能劣化，并使其指标参数降低而造成故障隐患。由于软击穿可使电路时好时坏(指标参数降低所致)，且不易被发现，给整机运行和查找故障造成很大麻烦。软击穿时装备仍能带“病”工作，性能未发生根本变化，但随时可能造成再次失效。多次软击穿就能造成硬击穿，使电子装备运行不正常。不仅IC、二极管、三极管会发生软击穿，电容器也会发生软击穿：电容两端的电荷，随着通电时间的增长，积累到一定程度之后，如果电容的质量不好，内部的电解质发生变化而产生的一种“电容击穿短路”现象，它与温度的高低并无直接的关系。关机后电容失去外加电压，自然放电完毕后电解质可暂时复原，容量也可恢复正常。

7，什么是二极管软击穿能详细解释下么

极管软击穿分为：1、雪崩击穿: 材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下获得能量增大,在晶体中运行的中子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞,通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子-空穴对.新产生的载流子在电场作用下再去碰撞其他中性原子,又产生的自由电子空穴对.如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧增加,因而流过PN结的反向电流就急剧增大.因增长速度极快,象雪崩一样,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿.2、齐纳击穿: 当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞。显然，场致激发能够产出大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象，这种击穿称为齐纳击穿。区别: 雪崩击穿,它是一种破坏性的电子现象.而齐纳击穿是一种暂时性的可恢复的电子现象.齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

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