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1，如何判断偏置电路

三极管构成的放大器三种基本电路结构就是共射级共基极和共集电极。不管哪种电路要正常放大，管子都必须发射结正偏集电结反偏，这个就需要通过用偏置电阻跟直流电源相连来提供一定的偏置电压实现。熟记三种基本电路结构，首先得判断该三极管构成的放大电路属于那种电路结构，完了看各个电极上连接的电阻有谁是直接连到电源上的，找得到的话，一般就八九不离十了。另外，偏置电阻可以是一个电阻，当然也可以是两个电阻三个电阻（两个三个的很少见），也可以串联上二极管。

如何判断偏置电路

2，后级功放偏置电压在哪测

黑笔接地红笔接输出端就知道中点电压了！功放输出理论上直流电压应该为零，实际上一般有0.2V左右或更高一些，这个电压越低越好。功放在工作时，输出的是正弦波交流电压，电压值随音乐大小波动，可以用万用表交流档测量。

后级功放偏置电压在哪测

3，晶体管共射放大电路发射极正向偏置集电极反向偏置怎么判断是

纠正你的一个错误，不是发射极，而是发射结，后面那个应该是集电结。 所谓正向偏置和反向偏置，其实是针对PN结而言，如果P区的电压比N区高，称为正向偏置，反之N区的电压比P区高，则称为反向偏置。 晶体三极管都包含两个PN结，比如NPN型，BE之间有个PN结（也就是发射结），BC之间也有个PN结（也就是集电结），B所在的是P区，CE都是N区。 当B级电压高于E级电压，则发射结正偏； 当C级的电压高于B级，则称为集电结反偏。 集电结反偏，发射结正偏也就是三极管处于放大状态的标志。

晶体管共射放大电路发射极正向偏置集电极反向偏置怎么判断是

4，测试功放的后级放大部分测他的偏置电压在3个点他们分别都是哪三个点

人家问你的是偏置电压，也就是输出放大电路，B极的电压。又不是问你发射结的导通电压。另外，你还需要测C、E两点的电压，这些点知道后，那么UCE的值就清楚了，另外也可以知道集电极电流IC的值，进而估计出静态工作点Q在输出特性曲线上的位置，另外UCE知道，也可以推算出功放电路的效率（此之前还要测动态波形参数）。你的模电概念还不是很清楚。

5，怎样测试运放的失调电压和偏置电流

对于失调电压，一般是设置一个很大的增益并且把输入短接。这时候的输出电压除以增益就是失调电压的大小。对于失调电流，则是用一个很大的电阻接在反馈回路上。S1闭合时，测同相端的偏流Ip，S2闭合的时候测反相端的偏流In。 这里的"失调"电流测法实际上测得的是“偏置电流”而非"失调电流"，当然，分别测出了+-端的“偏置电流”后，也可以得知“失调电流”---等于二者的差。上面具体例子中的电阻值选取对于有些情况不太合适，一般运放的偏置电流只有若干nA数量级，如果采用10M电阻，那么由于偏置电流造成的输出电压只有若干mV，而且此时还包括了"失调电压"的影响(偏大或偏小都有可能，具体取决于失调电压的极性)。 所以，测量nA量级的偏置电流，电阻还得取大些，使Ibias*R 达到v级，此时也不用扣除失调电压的影响了(5mv的失调电压对1v的输出电压来说，对测量结果的影响只有0.5%)

6，后级功放机无偏置电压检测原理

1、偏置电流设置：在后级功放机中，通常会设置一个偏置电流，用于调整输出级别静态工作点的位置。偏置电流确定了输出级别的正确工作范围。 2、偏置电压参考：通过将偏置电流通过电阻分压来产生一个偏置电压参考值。 3、相位补偿：一种常见的技术是应用相位补偿，通过引入一个反馈元件，使输出信号与输入信号之间产生特定的相位差。在偏置电压检测中，相位补偿电路用于产生一个与输入信号相位相关的参考电压。 4、偏置控制：将相位补偿电路产生的参考电压与偏置电压参考进行比较，并获得它们之间的差异。这个差异电压被用于调整后级功放机的工作状态。 5、差异检测与保护：检测到偏置电压与相位补偿参考电压之间的差异后，后级功放机会触发保护措施，如断开输入信号、减小输出信号级别或更改工作状态，以保护功放机免受潜在的损坏。

7，怎样确认该放大器的偏置电阻值

简单的计算方法是以下假设Vbe=0.5V（基极电流很小情况下Vbe可选0.5-0.7V，根据三极管参数手册）1. R1 R2 提供三极管B电位，可选择三分之一至三分之二的电源电压。电阻越小，对基极电流的影响越小。可选择10-50K。这里选2个20K。则Vb=3V。 选择Vb越低，输出电压动态范围越大。不过在小信号放大情况下影响不大。2. 影响静态IB的因素主要是R3。3. 静态工作点需要根据输入信号极大值选择。非常小的输入信号可以选择 IC = 1-10mA .我们选择 IC =3mA. 则R3的电压 = （3V-0.5V）/3mA 选择标准电阻 820 欧4. 此时Ib= 3mA/(放大倍数）150 mA. IC=3mA R3电压 = 3-0.5V5. 选择静态Vce =2V。则R4电压= 6-2-（3-0.5）=1.5V6. R4= 1.5v/3mA= 500欧。选标准电阻510欧。
请问三极管放大的是20uA 还是150uA
假定管子的额定电流是 Icf=100mA，保证放大的运行工作点，一般选在 Ic = 50mA。假定 Ub=3V，则R3上的电压 U3=3-0.7=2.3V，所以，R3可以近似计算出 R3 = U3/Ic = 2.3/50 = 46 欧姆，可以选50欧姆左右。放大倍数是150，则 Ib = 50/150 = 0.3mA ，计算出R1应略小于 （6-3）/0.3 =10k ，可以选R1=10k。由于分压的原因，R2也可以考虑等于R1，所以，可以先选择R2=10k。考虑管子导通时，压降为0.1V，电流50mA，R3上的电压2.3V，于是R4 = （6-0.1-2.3）/50 = 72欧姆，可以近似选择100欧姆左右。这样，一组初步的阻值数据为：R1=10k；R2=10k；R3=50；R4=100。

8，什么是晶体管偏置电压如何测量

就是提供一个让三极管导通的直流电压，对于常用的硅管来说，黑表笔接发射极，红表笔接基极，电压0.75伏。锗管相反。电压是0.3左右。
偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间集电极-基极之间应该设置的电压。因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn应该反偏、 因此，设置晶体管基射结正偏，集基结反偏，是晶体管工作再放大状态的电路，简称为偏置电路。 直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。 因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路（可以理解为设置正反偏的电路）。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压，因此，基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。 因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 运放的偏置电压，偏置电流 运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器, 偏置电流 bias current 就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流. 这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点. 因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围, 而且都是直接耦合的, 不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源. 所以都设计成基极开路的, 由外电路提供电流. 因为第一级偏置电流的数值都很小, ua 到 na 数量级, 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了. 而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度. 或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围. 如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用 j-fet 输入的运放. 因为 j-fet 是电压控制器件, 其输入偏置电流参数是指输入 pn 结的反向漏电流, 数值应在 pa 数量级. 同样是电压控制的还有 mosfet 器件, 可以提供更小的输入漏电流. 另外一个有关的运放参数是输入失调电流 offset current, 是指两个差分输入端偏置电流的误差, 在设计电路中也应考虑. 直流偏置电压是指晶体管放大电路中使晶体管处于放大状态时，基极-射极之间及集电极-基极之间应该设置的电压。 因为要使晶体管处于放大状态，其基极-射极之间的pn结应该正偏，集电极-基极之间的pn结应该反偏。因此，设置晶体管基射结正偏、集基结反偏，使晶体管工作在放大状态的电路，简称为偏置电路（可以理解为设置正反偏的电路）。而使晶体管工作在放大状态的关键是其基极电压，因此，基极电压又称为偏置电压。又由于使晶体管工作在放大状态的电压设置是由其没有信号时直流电源提供的。 因此，晶体管的直流偏置电压可以这么定义：晶体管未加信号时，其基极与发射极之间所加的直流电压称为晶体管的直流偏置电压。 p=ui=cu(du/dt),i=(dq/dt)=c*(du/dt)中的d表示微分，du/dt是表示电压u对时t的微分，可以理解为时间“ 微小”变化时，电压的“微小”的变化量。由于流过电容器的电流与其两端的电压有关。且电容器充放电时，其两端的电压是不断变化的。所以，流过电容器的电流等于单位时间（微小）内电容器两端累积的电荷q的变化量，表示为i=(dq/dt)。而且电容器两端累积的电荷q的变化量又反应了其两端的电压变化量：q=cdu。因此有：i=(dq/dt)=c*(du/dt)。 这里用到的d是微分算子，在高等数学中有介绍。未学高等数学时可以不管它，理解为“微小的变化量”就可以了。

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