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1，IGBT怎么工作的

IGBT是一种复合管，由一只SHM（双极功率高速开关管）和一只MOS（绝缘栅型场效应管）复合而成～ 连接方式类似于达林顿～ 其中SHM为电流控制型晶体管，MOS为电压控制型晶体管～所以称之为全控。 IGBT过载能力较强，功率较大。一般在IGBT的B～～～～E之间还会并联一只阻尼二极管。 IGBT在工作时要在G极上加一个控制信号，其门极驱动要的比较大，一般大于普通SHM与V-MOS～
工作在高频开关状态下，需要脉冲信号

IGBT怎么工作的

2，igbt模块工作的原理是什么

igbt模块工作原理IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种半导体晶体管，它具有高电压高电流和高效率的特点。IGBT模块的工作原理是，在其内部有一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和一个BJT（BipolarJunctionTransistor，双极型晶体管）组成。MOSFET控制电流流入BJT，而BJT控制电流流出。当MOSFET的控制端（栅极）电压为正，BJT就会导通，电流就能流入负极，从而实现导通。IGBT具有高电压抗扰性，高效率，高功率密度等优点，广泛应用于电力电子和工业控制领域。

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3，IGBT管在逆变器驱动板上的作用和工作原理有哪些

作用：IGBT在逆变器中的基本作用是做为高速无触点电子开关。工作原理：利用IGBT的开关原理，利用控制电路给予适当的开通、关断信号，IGBT就能根据你的控制信号将直流电变换成交流电，直流电转换成交流电后电压会降低，例如火车供电系统的600V直流就是将380V交流整流而成，IGBT逆变器驱动板的作用就是将这个过程的再还原。同时可以通过控制信号的脉宽调节来控制电流的大小，也可以控制交流频率，从而控制电机的转速。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

IGBT管在逆变器驱动板上的作用和工作原理有哪些

4，igbt是怎么工作的

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高功率半导体器件，广泛应用于能量调制和电力电子领域。IGBT 的工作原理可以简化为三个阶段：饱和状态、关断状态和恢复状态。首先，当IGBT处于饱和状态时，输入控制信号流经门极，通过N+区域注入电子。此时，大量电子被注入N+区域，并受到集电极的吸引，形成一条低电阻路径。同时，由于纳米级绝缘层的存在，使得控制电流无法通过基极到达发射极，阻断了电流流动。这种状态下，IGBT表现出低电阻特性，可以承受高电流。其次，当控制信号从饱和态切换到关断态时，N+区域注入的电子被吸引到P+区域，形成一个P-N结，阻断了电流的流动。此时，由于纳米级绝缘层的存在，无法通过基极到达发射极，进一步阻止了电流的传输。IGBT处于关断状态时，几乎没有电流流动。最后，当控制信号由关断态切换回饱和态时，P-N结中的电子被重新注入N+区域，形成一个低阻状态，使得电流能够重新流动。IGBT恢复到饱和状态后，可以再次承受高电流。IGBT的工作过程基于这三个阶段的切换，通过适时的控制信号来控制电流的流动和断断续续，实现高功率电子设备的控制。这种工作原理使得IGBT在电动汽车、交流驱动器、太阳能逆变器等高功率应用中发挥重要作用。

5，IGBT是什么啊怎么用在交流电机中

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写。是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。
你好！是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，可正常工作于几十kHz频率范围内，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，其输入极为MOSFET，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写如果对你有帮助，望采纳。
绝缘栅型三极管，高电压、大电流用的。

6，igbt工作的原理是什么pp

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种半导体元件，用于在高电压和高电流条件下控制电力。它的工作原理是通过在其内部的绝缘栅极和极控制器之间施加电压来控制电流流动。IGBT的工作过程可以分为四个步骤：1.在正向偏置条件下，将电压施加到绝缘栅极上。这样会使极控制器的电流流动，并在极控制器和反向极之间形成一个小的电压差。2.这个电压差会使反向极中的电子被吸引到极控制器中，导致极控制器和反向极之间的电荷平衡被打破。3.当电荷平衡被打破时，就会形成一个导通的漏极，使得正向极和反向极之间的电流流动。4.当电压从绝缘栅极上消失时，极控制器和反向极之间的电荷平衡会重新建立，使得漏极被关闭，电流流动停止。希望这个解释对你有帮助！好的，这里有一些关于IGBT的附加信息：IGBT具有较高的电压承受能力和较快的开关速度，适用于高功率和高频应用。IGBT的效率通常比普通的BJT（BipolarJunctionTransistor）要高，因为它具有较低的漏电流和较低的功耗。IGBT的结构包括三个极：正向极、反向极和极控制器。IGBT的输入阻抗较高，通常需要使用驱动电路来提供足够的电流来控制它。IGBT的可靠性受到温度和功率密度的影响，因此在设计时需要考虑这些因素。IGBT的应用领域包括电力转换、电机控制、调速和驱动等。希望这些信息对你有所帮助。

7，什么是变频器IGBT电路

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。
IGBT是集成的大功率开关器件，作为变频器的末级功率输出。百度百科有详细介绍。http://baike.baidu.com/view/115175.htmIGBT属于高频高压器件，性能好，价格高，易损坏，10多年前我设计变频器时使用过，至今心有余悸！不好玩，调试时心里怕怕的！
IGBT电路是负责变频器功率输出的部分。　　通常包含IGBT模块和IGBT的触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片，根据使用IGBT模块型号，有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。
从你提的问题就可看出你是新手。先学变频器的原理吧。具体修的话先判断是不是igbt烧。若肯定igbt模块烧（即使找到相同型号的igbt，在原因查明之前也不能贸然换上，不然很可能换多少烧多少）再查激励电压和波形是否正常，400v直流是否正常，各单元控制供电是否正常。若控制激励不正常就比较麻烦，建议送修。若能肯定各单元供电正常，激励电压和波形正常，igbt烧，才可以找同型号igbt代换，用低功率假负载试运行。再检查真正的负载，都没问题了才能上机。没有维修经验最好送修。

8，IGBT开关的基础知识

IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。 导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 空穴电流(双极)。 关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与VCE、 IC和 TC之间的关系如图2所示。 反向阻断 当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。 正向阻断 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 闩锁 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别： 当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。 正向导通特性 在通态中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件(寄生元件不考虑在内)。 如图所示，IC是VCE的一个函数(静态特性)，假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V，即使栅信号让MOSFET沟道形成(如图所示)，集电极电流IC也无法流通。当沟道上的电压大于VGE -Vth 时，电流处于饱和状态，输出电阻无限大。由于IGBT结构中含有一个双极MOSFET和一个功率MOSFET，因此，它的温度特性取决于在属性上具有对比性的两个器件的净效率。功率MOSFET的温度系数是正的，而双极的温度系数则是负的。本图描述了VCE(sat) 作为一个集电极电流的函数在不同结温时的变化情况。当必须并联两个以上的设备时，这个问题变得十分重要，而且只能按照对应某一电流率的VCE(sat)选择一个并联设备来解决问题。有时候，用一个NPT进行简易并联的效果是很好的，但是与一个电平和速度相同的PT器件相比，使用NPT会造成压降增加。 动态特性 动态特性是指IGBT在开关期间的特性。鉴于IGBT的等效电路，要控制这个器件，必须驱动MOSFET 元件。 这就是说，IGBT的驱动系统实际上应与MOSFET的相同，而且复杂程度低于双极驱动系统。如前文所述，当通过栅极提供栅正偏压时，在MOSFET部分形成一个N沟道。如果这一电子流产生的电压处于0.7V范围内， P+ / N- 则处于正向偏压控制，少数载流子注入N区，形成一个空穴双极流。导通时间是驱动电路的输出阴抗和施加的栅极电压的一个函数。通过改变栅电阻Rg (图4)值来控制器件的速度是可行的，通过这种方式，输出寄生电容Cge和 Cgc可实现不同的电荷速率。 换句话说，通过改变 Rg值，可以改变与Rg (Cge+C**) 值相等的寄生净值的时间常量(如图4所示)，然后，改变*V/dti。数据表中常用的驱动电压是15V。一个电感负载的开关波形见图5，di/dt是Rg的一个函数，如图6所示，栅电阻对IGBT的导通速率的影响是很明显的。 因为Rg数值变化也会影响dv/dt斜率，因此，Rg值对功耗的影响很大 。 在关断时，再次出现了我们曾在具有功率MOSFET和 BJT 器件双重特性的等效模型中讨论过的特性。当发送到栅极的信号降低到密勒效应初始值时，VCE开始升高。如前文所述，根据驱动器的情况，VCE达到最大电平而且受到Cge和 Cgc的密勒效应影响后，电流不会立即归零，相反会出现一个典型的尾状，其长度取决于少数载流子的寿命。 在IGBT处于正偏压期间，这些电荷被注入到N区，这是IGBT与MOSFET开关对比最不利特性之主要原因。降低这种有害现象有多种方式。例如，可以降低导通期间从P+基片注入的空穴数量的百分比，同时，通过提高掺杂质水平和缓冲层厚度，来提高重组速度。由于VCE(sat) 增高和潜在的闩锁问题，这种排除空穴的做法会降低电流的处理能力。 安全运行区SOA 按电流和电压划分，一个IGBT的安全运行区可以分为三个主要区域，如下表所示： 这三个区域在图8中很容易识别 。 通常每一张数据表都提供了正向导通(正向偏置安全运行区FBSOA)、反向(反向偏置安全运行区RBSOA)和短路(短路安全运行SCSOA)时描述强度的曲线。 详细内容： FBSOA 这部分安全运行区是指电子和空穴电流在导通瞬态时流过的区域。在IC处于饱和状态时，IGBT所能承受的最大电压是器件的物理极限，如图8所示。 RBSOA 这个区域表示栅偏压为零或负值但因空穴电流没有消失而IC依然存在时的关断瞬态。如前文所述，如果电流增加过多，寄生晶体管会引发闩锁现象。当闩锁发生时，栅极将无法控制这个器件。最新版的IGBT没有这种类型的特性，因为设计人员改进了IGBT的结构及工艺，寄生SCR的触发电流较正常工作承受的触发电流(典型Ilatch>5 IC 正常)高出很多。关于闭锁电流分别作为结温和栅电阻的一个函数的变化情况，见图9和10。 SCSOA SCSOA是在电源电压条件下接通器件后所测得的驱动电路控制被测试器件的时间最大值。图11所示是三个具有等效特性但采用不同技术制造的器件的波形及关断时间 。 最大工作频率 开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的参数，所有的硅片制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。 特别是在电流流通并主要与VCE(sat)相关时，把导通损耗定义成功率损耗是可行的。 这三者之间的表达式：Pcond = VCE IC ，其中， 是负载系数。 开关损耗与IGBT的换向有关系；但是，主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备的频率的关系更加紧密。 Psw = Ets 总损耗是两部分损耗之和： Ptot = Pcond + Psw 在这一点上，总功耗显然与Ets 和 VCE(sat)两个主要参数有内在的联系。 这些变量之间适度的平衡关系，与IGBT技术密切相关，并为客户最大限度降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。 因此，为最大限度地降低功耗，根据终端设备的频率，以及与特殊应用有内在联系的电平特性，用户应选择不同的器件。
一般用在变频器. 交流电源整流后经过IGBT的连通关断,形成脉冲式的直流电,因为其等效与正弦交流电.所以可以看作是交流电,又因其可改变关断时间所以等效出来的交流正弦波可以改变其频率.....所以一般用来做电机的无级调速 呵呵,说得不好.但已经是费尽心机了.

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