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1，英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

既然是infineon的，你去官网下datasheet嘛。里面有允许最大结温，目前使用习惯是实际工作最大温度=允许最大结温-25℃

英飞凌IGBT 最高能在多少温度下运行

2，怎么测电磁炉中IGBT的结温

IGBT的结温是直接测试不到的，你可以测试IGBT铜基板PC（小电流管子没有铜散热基板那就测试IGBT散热外壳）的温度在根据此时IGBT的损耗功率和数据手册上的热阻算出来。不过也有间接的测试方法如IEC 60747-9这个标准内就描述了怎么测试结温。

怎么测电磁炉中IGBT的结温

3，电磁炉IGBT超温

感应圈就是上面的线圈盘加热加热锅具的，驱动电路就是单片机那个最长的ic 还有2个三极管构成推挽是驱动，你这个情况查下风机电源或者观察风机的转速是否已经变慢。
朋友，电磁炉的igbt管是安装在电磁炉里面的电路板金属散热片上面的。它是一个大功率管，跟普通电视机开关管或者行管样子差不多，只有三只脚的。

电磁炉IGBT超温

4，有谁实测过苏泊尔C21S19电磁炉的IGBT热敏电阻在常温下是多少没有

负温度电阻NTC(炉面与IGBT)是否正常？ 是否有+5V （负温度电阻NTC在常温25℃的情况下应该阻值在46~58K之间，有的电磁炉负温度电阻NTC也用100K。单个负温度电阻NTC在98℃ 开水里 ，它是电阻值是2~3K。另：九阳JYZD-22豆浆机温度传感器NTC 正常阻值为69~74Ω，当环境温度为27℃时，它阻值为19.6KΩ，当环境为23℃时，它阻值为20.9KΩ。
你好！放在IGBD是10k在电磁炉盘上100k 下次提问加100积分？？？仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

5，电磁炉中IGBT上的热敏电阻阻值是多少为正常

10K。如果IGBT管的测温热敏电阻坏了，可以根据热敏电阻的型号进行更换，不同厂家使用的热敏电阻不一样，一般有25℃时阻值10K、50K、100K这几种，大多都是NTC负温度系数，玻璃管封装，其中10K地用在IGBT测温中比较多，100K次之，50K最少使用。电磁炉正常工作，IGBT测温电路是必不可少的，它可以实时检测IGBT管的温度，当温度异常升高时，MCU根据测温电路的反馈值来切断PWM输出停止加热，以保护IGBT管不受损坏。 IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。扩展资料一般热敏电阻一旦损坏多表现为玻璃管断裂，有原理图最好，按照原型号更换即可没有原理图，在不知道其阻值大小的情况下，可以先试着更换25℃ 10K的热敏电阻，然后烧水试机，如果烧开一大壶水后不出现异常，就说明更换正确，否则继续更换25℃ 100K阻值的，直至试机正常。而且IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。参考资料来源：搜狗百科—电磁炉参考资料来源：搜狗百科—IGBT
电磁炉 负温度电阻ntc(炉面与igbt)是否正常？ 是否有+5v （负温度电阻ntc在常温25℃的情况下应该阻值在46~58k之间，有的电磁炉负温度电阻ntc也用100k。单个负温度电阻ntc在98℃ 开水里 ，它是电阻值是2~3k。
这个热敏电阻的阻值不重要。关键在于炉子检测到的锅的情况，本人遇到过配套的铁锅根本不加热的情况，由于购买时间很长没有法子与其销售商理论。
这个电阻和炉面那个是一样的100K，实测一般是50-100之间，这个是随温度变化而变化，如果只是6K，那就是坏了，换一个试下。我刚修了一台美的的，测那个只有37K，显E6，换了一个后工作正常。
热敏电阻，常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。IGBT热敏电阻：该热敏电阻放在紧贴着IGBT的正面，用导热硅脂涂在它们之间，并压在PCB板上，IGBT产生的温度直接传到了热敏电阻上，热敏电阻与RJ37电阻分压电的变化反映了热敏电阻的阻值变化。直接反映出IGBT的温度变化。
常温下阻值为90K欧姆，温度升高，阻值越小。热敏电阻一般采用负温度系数（NTC），且每种温度采集方式也都各自有优缺点，温度检测常用有压环式热敏电阻测温、插件式热敏电阻测温和贴片式热敏电阻测温。插件式热敏电阻测温的NTC是直接焊在PCB上，通常采用玻璃封装的插件NTC，NTC装在一个小硅胶壳里面，硅胶壳里再填上导热硅脂。IGBT倒在热敏电阻上面，装配时会受到不同程度的应力，硅胶壳就起缓冲的作用，而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会产生空隙，影响传热效果，所以就需要添加导热硅脂。扩展资料：原理IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。参考资料：搜狗百科-IGBT

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